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JANTX1N5968軍級玻璃齊納二極管Microsemi

2024-11-20 10:09:51

Microsemi公司生產(chǎn)的1N4954至1N4996、1N5968至1N5969、1N6632至1N6637型號的5瓦特玻璃齊納二極管是一系列高可靠性產(chǎn)品，適用于軍事和商業(yè)應(yīng)用，具有無空隙的密封玻璃封裝和內(nèi)部冶金鍵合，提供從3.3伏特到390伏特的廣泛電壓選擇，標(biāo)準(zhǔn)公差為±5%，更緊密公差選項(xiàng)為±2%或±1%。這些二極管在-65°C至+175°C的溫度范圍內(nèi)工作，能夠耗散高達(dá)5瓦特的功率，具有優(yōu)秀的電壓調(diào)節(jié)能力和ESD抗性，且固有輻射硬度，適合極端環(huán)境下的應(yīng)用。

Microsemi JANTX1N5807軍級整流二極管 原裝現(xiàn)貨

2024-11-19 14:21:16

1N5807、1N5809和1N5811是一系列軍用級超快速恢復(fù)玻璃整流器，具備無空洞密封玻璃封裝、四層鈍化和內(nèi)部冶金鍵合等特性，提供50V至150V的工作峰值反向電壓，支持高達(dá)125A的正向浪涌電流和6.0A的平均整流輸出電流，具有30ns的快速反向恢復(fù)時(shí)間，適用于軍事、航天和高性能開關(guān)電源等高可靠性應(yīng)用領(lǐng)域。

JANTX1N5772低電容二極管陣列 10引腳陶瓷封裝Microsemi

2024-11-19 13:53:23

1N5772是一款10引腳陶瓷扁平封裝的低電容隔離二極管陣列，設(shè)計(jì)用于保護(hù)多達(dá)八個(gè)I/O端口免受ESD、EFT和浪涌的影響，具有高擊穿電壓、低漏電流和低電容特性，適用于高頻數(shù)據(jù)線、RS-232/RS-422接口網(wǎng)絡(luò)、以太網(wǎng)和計(jì)算機(jī)I/O端口等應(yīng)用，并提供符合MIL-PRF19500/474標(biāo)準(zhǔn)的篩選選項(xiàng)。

JANTX1N5284-1電流調(diào)節(jié)軍級二極管Microsemi

2024-11-19 08:56:02

Microsemi 1N5283-1至1N5314-1系列電流調(diào)節(jié)二極管是一系列0.5瓦特的器件，提供從0.22毫安到4.7毫安的電流選擇，具有10%的標(biāo)準(zhǔn)公差。這些器件以其高源阻抗、內(nèi)部冶金鍵合和軍事級別的資格而著稱，能夠在廣泛的電壓和溫度范圍內(nèi)穩(wěn)定調(diào)節(jié)電流。它們提供靈活的安裝選項(xiàng)，對ESD不敏感，并且具有固有的輻射硬度，適用于需要精確電流控制的電子應(yīng)用。

LS1012ASE7EKB低功耗處理器NXP恩智浦

2024-11-18 13:53:51

LS1012A是一款低功耗處理器，專為電池或USB供電、空間受限的網(wǎng)絡(luò)和物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用設(shè)計(jì)。它集成了Arm Cortex-A53核心，運(yùn)行速度達(dá)1GHz，功耗僅為1W，支持線速網(wǎng)絡(luò)性能和多種高速接口。軟件上與LS家族設(shè)備兼容，屬于NXP的EdgeVerse邊緣計(jì)算平臺。特點(diǎn)包括單核1GHz、256 KB L2緩存、16位DDR3L SDRAM、支持高達(dá)6 Gbit/s的SerDes、PCIe 2.0、SATA 3.0、USB 3.0/2.0等接口，以及多種外設(shè)和安全功能，封裝為211 FC-LGA，9.6x9.6 mm。

Connor-Winfield OX200-DK 12Vdc OCXO

2024-11-18 08:55:58

OX200 - DK是12V直流驅(qū)動、CO - 8封裝的烤箱補(bǔ)償晶體振蕩器。專為特定需求設(shè)計(jì)，特點(diǎn)有頻率穩(wěn)定性高（±5.0ppb）、溫度范圍寬、低功耗、低相位噪聲和抖動且RoHS合規(guī)。電氣參數(shù)包括供電電壓范圍、輸出特性，還有多種頻率穩(wěn)定性相關(guān)參數(shù)。

Arizona Capacitors 60J15103聚酯/紙介電容器15KV

2024-11-13 09:26:18

Arizona Capacitors的60J15103聚酯/紙介電容器，額定電壓為15000V，電容值范圍從0.0005到0.500uf，提供±2%至20%的容差選項(xiàng)，工作溫度范圍為-55°C至85°C，絕緣電阻為25至50k ΩF，損耗因子在1,000Hz時(shí)為0.6%，測試電壓為額定電壓的150%，適用于高壓電路。

LA9310S7S11AA可編程基帶處理器NXP恩智浦

2024-11-12 10:59:07

Layerscape Access LA9310是一款高性能、低成本、低功耗的集成ADC/DAC數(shù)字信號處理器，專為5G基礎(chǔ)設(shè)施和定制通信系統(tǒng)設(shè)計(jì)，具備強(qiáng)大的VSPA DSP、高速采樣率、靈活的I/O連接和前向糾錯(cuò)能力，適用于網(wǎng)絡(luò)監(jiān)聽、小型無線電單元和中繼器等應(yīng)用，提供8mm x 8mm的封裝和在105C時(shí)1.5W的最大功耗。

MAC57D5xx多核ARM基礎(chǔ)MCU微控制器 NXP恩智浦

2024-11-12 09:57:52

NXP的MAC57D5xx系列是一款超可靠的多核ARM基礎(chǔ)微控制器，專為汽車儀表盤和工業(yè)應(yīng)用設(shè)計(jì)，具備Cortex-A5、Cortex-M4和Cortex-M0+多核架構(gòu)，支持雙WVGA顯示和HUD變形，集成了先進(jìn)的圖形處理單元和功能安全特性，滿足ISO26262 ASIL-B標(biāo)準(zhǔn)，并提供豐富的軟件支持和開發(fā)工具。

PDI V29-T-25000X-C-B-B-3-R-X壓控晶體振蕩器VCXO

2024-11-11 09:39:07

PDI VC29系列VCXO可在苛刻環(huán)境下精確輸出頻率，適用于低噪、低抖、高振環(huán)境。規(guī)格涵蓋尺寸、頻率范圍、輸出模式、穩(wěn)定性、溫度、電壓等。性能參數(shù)包括調(diào)頻范圍、噪聲、啟動時(shí)間、輸出電壓、電流消耗。有4 - 6引腳配置，特定包裝材料，符合相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)，適用于通信、精密儀器、工業(yè)自動化設(shè)備等。

Infineon英飛凌P溝道功率MOSFET

2024-11-11 09:27:06

Infineon的P溝道功率MOSFET系列專為中低功率應(yīng)用設(shè)計(jì)，具有空穴流載流子、負(fù)柵極電壓需求、簡化設(shè)計(jì)和廣泛電壓等級等特點(diǎn)，優(yōu)化電路設(shè)計(jì)并易于獲取。提供多種封裝類型，廣泛應(yīng)用于電池保護(hù)、反極性保護(hù)、線性電池充電器、負(fù)載開關(guān)、DC-DC轉(zhuǎn)換器和低壓驅(qū)動等領(lǐng)域，包括工業(yè)和汽車應(yīng)用，特別是車規(guī)級產(chǎn)品。

CWX813,CWX815,CWX823,CWX825表面貼裝CMOS時(shí)鐘振蕩器Connor Winfield

2024-11-08 09:22:56

CWX8xx系列固定頻率晶體控制振蕩器采用5.0x7.0mm表面貼裝封裝，適用于高頻率穩(wěn)定性和低抖動應(yīng)用，工作電壓為3.3V或5.0V，頻率穩(wěn)定性為±25ppm或±50ppm，溫度范圍為-20至70°C，頻率范圍為1.0至156.25MHz，負(fù)載電容為15pF（LVCMOS）或50pF（HCMOS），存儲溫度為-55至125°C，采用密封陶瓷封裝，符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的無鉛焊接。

IRLML6401TRPBF：12V單通道P溝道功率MOSFET

2024-11-08 09:15:26

IRLML6401TRPBF是一款由英飛凌科技推出的12V單P溝道功率MOSFET，采用SOT-23封裝，專為低功耗和低頻率應(yīng)用設(shè)計(jì)，具備寬廣的安全工作區(qū)域、行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證、低頻應(yīng)用中的高性能等特點(diǎn)，適用于DC開關(guān)、負(fù)載開關(guān)等應(yīng)用，技術(shù)規(guī)格包括最大漏極電流-4.3A、導(dǎo)通電阻最大50mΩ等，非常適合電源管理、電機(jī)控制和電池供電設(shè)備。

Ampleon C5H3438N110D功率GaN晶體管3.3-5.0GHz

2024-11-07 09:03:57

Ampleon C5H3438N110D是一款110W GaN Doherty射頻功率晶體管，專為3400 MHz至3800 MHz頻率范圍內(nèi)的基站應(yīng)用設(shè)計(jì)。其特點(diǎn)包括緊湊的8 mm x 8 mm QFN封裝、5G mMIMO優(yōu)化、高效率Doherty配置、寬帶操作、內(nèi)部匹配設(shè)計(jì)以及優(yōu)秀的數(shù)字預(yù)失真能力。適用于多載波應(yīng)用，提供高帶寬和高數(shù)據(jù)速率，技術(shù)參數(shù)包括110W名義輸出功率、48V漏源電壓、13.6至15 dB功率增益和55%至62%的漏極效率。

Vishay CBA3750CLAKWS薄膜二進(jìn)制MOS電容器

2024-11-06 09:09:59

Vishay CBA系列MOS電容器有兩種總電容版本，電容以二進(jìn)制增量在0.25 pF - 15 pF間配置，提供多種選擇。該電容器可線焊，采用特定介質(zhì)和基板，尺寸小，用于微波電路混合封裝。其電氣規(guī)格涵蓋工作電壓、損耗因數(shù)、Q值、溫度系數(shù)和工作溫度范圍等。

Broadcom PEX88048：50通道PCIe Gen 4.0交換機(jī)

2024-11-05 09:06:19

Broadcom PEX88048是一款高性能PCIe Gen 4.0交換機(jī)，具備50個(gè)通道和端口，支持高速數(shù)據(jù)傳輸、低延遲和靈活的fabric拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，特別適合數(shù)據(jù)中心和云服務(wù)提供商。它具備嵌入式ARM CPU、ExpressFabric架構(gòu)、48個(gè)DMA通道、消除PCIe拓?fù)湎拗啤镹VMe AFA系統(tǒng)設(shè)計(jì)、生命周期活躍功能、雙管理端口、低功耗SerDes等特性，旨在構(gòu)建高性能、低延遲、可擴(kuò)展的PCIe fabrics。

Q-TECH QTCV356系列小型化SMD電壓控制晶體振蕩器

2024-11-04 09:04:41

QTCV356系列VCXOs（壓控晶體振蕩器）是一款集成了5Vdc或3.3Vdc時(shí)鐘方波發(fā)生器和微型條形AT石英晶體的低高度陶瓷封裝振蕩器，適用于低電壓應(yīng)用。其主要特性包括寬頻率范圍（1.000MHz到156.250MHz）、小尺寸（3.2 x 5mm）、支持HCMOS、LVHCMOS、LVPECL邏輯類型、5.0Vdc或3.3Vdc供電電壓、-40oC到+85oC的工作溫度范圍、Tri-State輸出、密封陶瓷封裝、基本和第三泛音設(shè)計(jì)、符合MIL-PRF-55310標(biāo)準(zhǔn)的軍事級篩選測試，以及無鉛和RoHS合規(guī)。該系列產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于槍械發(fā)射彈藥和系統(tǒng)、智能彈藥、儀器儀表、以太網(wǎng)/同步、SONET、微處理器時(shí)鐘等領(lǐng)域。

Delta HCME1012(F)系列電感器

2024-11-01 09:35:05

Delta的HCME1012(F)系列電感器在電子設(shè)計(jì)中發(fā)揮關(guān)鍵作用，適用于電源管理、信號過濾等領(lǐng)域。該系列提供70 nH至330 nH的電感值，低直流電阻（33 mΩ）、高飽和電流（178 A），工作溫度范圍寬（-40℃至125℃），精度±10%至±15%。其緊湊尺寸（10.0x6.0~6.2x12.0mm）和嚴(yán)格的質(zhì)量控制確保了在多種應(yīng)用中的高效率和可靠性。

Bliley高性能BOCSE系列非PLL晶體振蕩器

2024-11-01 09:23:34

Bliley的BOCSE系列非PLL晶體振蕩器穩(wěn)定性和精確度高，符合高端市場需求，適用于軍事、儀器儀表等多領(lǐng)域。它采用2.5x2.0mm封裝，符合軍用標(biāo)準(zhǔn)，頻率1.5 - 170MHz，溫度穩(wěn)定性±25 - ±100ppm，電源電壓多樣，工作溫寬（-55°C - +125°C）。具有響應(yīng)快、輸出穩(wěn)、相位噪聲和抖動低等性能，通過多項(xiàng)測試且包裝安全。

LS94,SST94單通道P溝道JFET開關(guān)Linear Systems

2024-11-01 09:18:08

LS94和SST94是Linear Systems公司生產(chǎn)的單通道P溝道JFET開關(guān)，專為超低噪聲音頻/聲學(xué)應(yīng)用設(shè)計(jì)，可直接替代Toshiba 2SJ94。它們具有高跨導(dǎo)（22 mS）、高輸入阻抗（1 nA）、低電容（32 pF）和多種封裝形式（TO-92、SOT-89、裸片）。電氣特性包括柵極到漏極擊穿電壓25V、柵極到源極開啟電壓0.15V至2V、漏源飽和電流-30 μA至-2.6 mA等。這些特性使得LS94和SST94成為高增益放大應(yīng)用中的理想選擇，尤其在高輸入阻抗和低噪聲需求場合。