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  IRF540NPBF單N溝道功率MOSFET 2024-09-11 09:17:13

  IRF540NPBF是一款采用TO-220封裝的N溝道功率MOSFET，額定電壓為100V，最大漏極電流33A，功耗140W，結溫175°C，具有寬安全工作區(qū)和高電流處理能力。該器件優(yōu)化了低頻應用性能，符合JEDEC標準，廣泛應用于直流電機驅動、逆變器、開關電源、照明系統(tǒng)和負載開關等高功率場景。

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  MICRON低功耗DDR5 DRAM，專為5G和AI設計 2021-05-20 17:19:17

  MICRON?的低功耗DRAM（LPDRAM）產品組件具備低功耗、性能卓越、密度高和寬溫度范圍的選擇，能夠協(xié)助用戶從性能卓越智能手機和其它智能產品中收獲最大化利益。新型MICRONLPDDR5DRAM具備優(yōu)秀的功效和更快的數據信息訪問速度，這針對智能化AI和5g功能極為重要。MICRON的LPDDR5滿足最新的的JEDEC規(guī)范。與前幾代產品相比較，數據信息訪問速度提升了50%，功效提升了20%以上。