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  Infineon英飛凌IRHMS67260抗輻射功率MOSFET 2024-04-10 09:53:17

  IRHMS67260是一款抗輻射的N溝道MOSFET，額定電壓200V，電流45A，采用R6 TO-254AA封裝，具有低導(dǎo)通電阻、快速開關(guān)、抵御單粒子效應(yīng)能力等特點(diǎn)。廣泛應(yīng)用于DC-DC轉(zhuǎn)換器、電力推進(jìn)和電機(jī)驅(qū)動領(lǐng)域，在高輻射環(huán)境下表現(xiàn)穩(wěn)定可靠。已有更優(yōu)產(chǎn)品JANSR2N7584T1推出。

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  LV5T5000XMCA2RX低相位噪聲石英晶振Wi2Wi(PDI) 2024-04-03 09:38:31

  PDI LV5系列是一款高性能時(shí)鐘振蕩器，主要特點(diǎn)在于其極低的相位抖動和卓越的相位噪聲。以密封包裝形式提供，輸出類型為LVDS，工作頻率范圍40MHz到200MHz。尺寸為5.00mm x 3.20mm x 1.20mm，具有詳細(xì)的頻率穩(wěn)定性參數(shù)和特殊功能如三態(tài)引腳和LVDS引腳。