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  Infineon英飛凌FF23MR12W1M1PB11BPSA1模塊 2024-04-07 09:38:34

  Infineon英飛凌?FF23MR12W1M1PB11BPSA1是一款EasyDUAL模塊，它采用了Infineon公司的CoolSiCTM技術(shù)的Trench MOSFET，并且結(jié)合了PressFIT/NTC/TIM技術(shù)。這款模塊具有一系列預(yù)設(shè)的數(shù)據(jù)，其中Vds(最大漏源電壓)為1200V，ID nom(標(biāo)稱電流)為50A，最大電流Imax可達(dá)100A。

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  ADI晶圓通信基站：大功率射頻芯片對(duì)美依賴性極高 2021-06-07 17:09:06

  通信基站對(duì)國(guó)外芯片的依賴程度很高，其中大部分是美國(guó)芯片公司。目前，基站系統(tǒng)主要由基帶處理單元（BBU）和射頻遙控單元（RRU）組成。通常，一個(gè)BBU對(duì)應(yīng)多個(gè)RRU。相比之下，RRU芯片國(guó)產(chǎn)化程度低，對(duì)外依存度高，主要困難在于RRU芯片涉及大功率射頻場(chǎng)景，通常是GaAs或Gan材料，而中國(guó)大陸則缺乏相應(yīng)的產(chǎn)業(yè)鏈。