一本大道无码日韩精品影视丶丨国产情侣一区二区三区丨无码国产午夜福利丨久久天天躁狠狠躁夜夜躁app丨人禽杂交18禁网站免费

　　Solitron Devices SMF460這款MOSFET適用于需要高電壓和高電流的應用，如電源轉換器、電機驅動器和高功率開關電路。

　　關鍵特性：

　　連續漏極電流 (ID)：10A

　　導通電阻 (RDS(on))：300mΩ

　　快速恢復二極管：內置

　　雪崩額定：能夠承受高能量脈沖

　　封裝：TO-254 密封封裝

　　背面隔離：提供額外的絕緣

　　篩選：JANTX, JANTXV 篩選可用

　　絕對最大額定值(TC = 25°C，除非另有說明)：

　　漏源電壓 (VDSmax)：650V

　　柵源電壓 (VGSM)：±30V(瞬態)

　　柵源電壓 (VGSS)：±20V(連續)

　　連續漏極電流 (ID25)：10A

　　脈沖漏極電流 (ID(PULSE))：40A(脈沖寬度Tp受TJmax限制)

　　功率耗散 (PD)：116W

　　結溫范圍，工作/存儲 (TJ/TSTG)：-55°C至150°C

　　電氣規格(TJ = 25°C，除非另有說明)：

　　體二極管正向電壓 (VSD)：1.4V(當IS = 10A, VGS = 0V)

　　漏源擊穿電壓 (V(BR)DSS)：650V

　　柵閾值電壓 (VGS(th))：3至5V

　　關態漏極電流 (IDSS)：10μA(在VDS = 650V, VGS = 0V, T = 25°C)

　　柵源漏電流 (IGSS)：±100nA(在VGS = ±20V, VDS = 0V)

　　漏源導通電阻 (RDS(on))：260至300mΩ(在VGS = 10V, ID = 6A, TJ = 25°C)

　　跨導 (Gfs)：6.5S(在VDS = 10V, ID = 6A, TJ = 25°C)

　　總柵電荷 (Qg(on), Qgs, Qgd)：17, 4.7, 6.1nC(在VGS = 10V, VDS = 325V, ID = 6A)

　　開關時間 (td(on), tr, td(off), tf)：23, 24, 47, 15ns(在VDD = 325V, ID = 6A, RG = 4.3Ω)

　　熱阻 (RthJC)：1.08°C/W

更多Solitron Devices SiC MOSFET相關產品信息可咨詢立維創展。