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Solitron Devices SD11740超低導通電阻碳化硅MOSFET

發布時間:2024-02-05 12:06:18     瀏覽:812

  Solitron Devices 推出的SD11740是1200V 碳化硅 (SiC)、低 RDS(on) MOSFET。

Solitron Devices SD11740超低導通電阻碳化硅MOSFET

  作為對高可靠性/軍事應用的高壓MOSFET的強大供應的補充,Solitron正在擴大其碳化硅產品供應,以滿足要求苛刻的商業和工業應用。該SD11740采用 SOT-227 封裝,提供 8.6mΩ 的超低 RDS(on)。

  SOT-227 型封裝的加入使 Solitron 的 SiC 產品能夠在電動汽車、功率控制器、電機驅動、感應加熱、固態斷路器和高壓電源中實現更高功率的應用。該SD11740提供 120A 的連續漏極電流。SOT-227 與銅散熱器基座具有 3kV 隔離功能,可實現出色的低熱阻。該器件提供真正的開爾文柵極連接,以實現最佳柵極控制。任一發射極端子均可用作主發射器或開爾文發射器。

  該SD11740設計用作功率半導體開關,其性能優于硅基MOSFET和IGBT。標準柵極驅動特性允許真正直接替代硅IGBTS和MOSFET,具有更優越的性能。超低柵極電荷和出色的反向恢復特性使它們非常適合開關感性負載和任何需要標準柵極驅動的應用。

  關鍵特性

  I D = 100A

  RDS(ON) = 8.6mΩ

  低柵極電荷

  開爾文源

  SOT 227B

  好處

  無熱失控的并聯裝置

  更高的系統效率

  出色的反向采收率

  應用

  高效率的轉換器和馬達驅動

  電力供應

  電池充電器

  太陽能逆變器

  感應加熱

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