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  IR HiRel GaN HEMT –氮化鎵晶體管 2021-02-22 17:15:14

  ?IR-HiRel?氮化鎵（GaN）比硅具有根本的優勢。特別是高臨界電場使得GaN-HEMTs成為功率半導體器件的研究熱點。與硅MOSFET相比，GaN-HEMTs具有優異的動態導通電阻和較小的電容，非常適合于高速開關。IR-HiRel不僅節省了功率，降低了系統的整體成本，而且允許更高的工作頻率，提高了功率密度和系統的整體效率。

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  MLX040A0XY3非隔離DCDC電源模塊OmniOn power 2024-03-26 10:18:08

  OmniOn Power 的MLX040A0XY3數字DLynxlITM電源模塊是一款高性能的非隔離dc-dc轉換器，專為提供高達40A的輸出電流而設計。其工作電壓范圍廣泛，從7VDC至14VDC，且輸出電壓可編程，范圍覆蓋0.45VDC至2.0VDC，通過PMBus進行精確調節。模塊采用了先進的基于PID的可調數字控制回路，確保了回路的穩定性，提供了快速的瞬態響應，并降低了所需的輸出電容。