一本大道无码日韩精品影视丶丨国产情侣一区二区三区丨无码国产午夜福利丨久久天天躁狠狠躁夜夜躁app丨人禽杂交18禁网站免费

　　SD11461 是一款由 Solitron Devices 生產的 N 通道功率 MOSFET，以下是其詳細介紹：

　　基本特性

　　電壓與電流：漏源極電壓(VDS)為 100V，連續漏極電流(ID)在 25°C 時為 35A。

　　導通電阻：在 25°C、10V 柵源電壓和 30A 漏極電流條件下，漏源導通電阻(RDS(on))典型值為 25mΩ。

　　封裝：提供 TO-258 和 TO-254 3 引腳封裝，具有低熱阻，適合高功率應用。

　　性能特點

　　快速開關能力：優化了開關速度，適用于高頻應用，如開關電源和 DC-DC 轉換器。

　　高功率耗散能力：最大功耗為 147W，能夠承受較高功率。

　　溫度范圍：工作和存儲溫度范圍為 -55°C 至 +150°C，適合惡劣環境。

　　封裝優勢：采用密封隔離封裝，具有良好的可靠性和抗干擾能力。

　　應用領域

　　電源管理：用于開關模式和共振模式電源、DC-DC 轉換器、功率因數校正(PFC)電路。

　　電機驅動：適用于 AC 和 DC 電機驅動，以及機器人和伺服控制系統。

　　高頻應用：快速開關特性使其適合高頻電源轉換和控制。

　　電氣特性

　　閾值電壓：柵極閾值電壓(VGS(th))范圍為 2.0V 至 4.0V。

　　漏極電流：在 25°C 和 100V 漏源電壓下，漏極電流(IDSS)為 5.0μA。

　　柵極漏電流：在 ±20V 柵源電壓下，柵極漏電流(IGSS)為 ±100nA。

　　導通電阻：在 10V 柵源電壓和 30A 漏極電流下，漏源導通電阻(RDS(on))范圍為 20mΩ 至 40mΩ。

　　電容特性：輸入電容(Ciss)為 4300pF，輸出電容(Coss)為 450pF，反向轉移電容(Crss)為 175pF。

　　開關時間：開啟延遲時間(td(on))為 15ns，上升時間(tr)為 12ns，關閉延遲時間(td(off))為 47ns，下降時間(tf)為 12ns。

　　柵極電荷：總柵極電荷(Qg)為 87nC。

　　二極管特性

　　源極電流：連續源極電流(Is)為 35A，脈沖源極電流(sm)為 100A。

　　正向電壓：在 30A 漏極電流下，源極二極管正向電壓(Vsd)范圍為 1V 至 1.5V。

　　反向恢復時間：在 10A 漏極電流和 100A/μs 的 di/dt 下，反向恢復時間(trr)范圍為 89ns 至 120ns。

　　尺寸與封裝

　　TO-258 封裝：具有較大的散熱片和引腳，適合高功率應用。

　　TO-254 封裝：尺寸較小，適合緊湊型設計。

更多Solitron Devices SiC MOSFET相關產品信息可咨詢立維創展。