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Solitron的碳化硅 (SiC) MOSFET 具有非常低的 RDS(開)即使在高溫下，與一流的硅技術相比，開關性能也非常出色，與溫度的變化最小。碳化硅具有比硅更高的效率水平，因為它的能量損失和反向充電顯著降低。這導致在接通和關斷階段需要更多的開關功率和更少的能量。結合高開關頻率，這意味著更小的磁性元件，大大減輕了系統的重量和尺寸。
這些 650V 至 1200V SiC MOSFET 采用低成本商用 TO-247 至全密封 TO-258 封裝，工作溫度為 200°C，非常適合各種應用，可在最極端的環境中生存。在可再生能源、電動汽車/電動汽車充電、電機驅動、感應加熱和高壓逆變器/電源等眾多應用中，碳化硅技術提供了具有優勢的尺寸、重量和效率。
可進行 COTS、TX、TXV 和 S 級篩查。可根據要求提供定制配置和封裝，包括電源模塊。
| Type Number | Voltage | Drain Current | Rds (On) | Package | Isolated Case | Temp. Range |
|---|---|---|---|---|---|---|
| SD11702 | 650V | 50A | 7mΩ | TO-258 3L hermetic | Yes | -55°C to 175°C |
| SD11703 | 900V | 50A | 10mΩ | TO-258 3L hermetic | Yes | -55°C to 175°C |
| SD11704 | 900V | 32A | 35mΩ | TO-258 5L hermetic | Yes | -55°C to 150°C |
| SD11705 | 1200V | 50A | 32mΩ | TO-258 3L hermetic | Yes | -55°C to 175°C |
| SD11707 | 1200V | 50A | 16mΩ | TO-258 3L hermetic | Yes | -55°C to 175°C |
| SD11710 | 700V | 140A | 15mΩ | TO-258 3L hermetic | Yes | -55°C to 175°C |
| SD11720 | 1200V | 58A | 50mΩ | TO-247 3L plastic | No | -55°C to 175°C |
| SD11721 | 1200V | 58A | 50mΩ | TO-247 4L plastic | No | -55°C to 175°C |
| SD11740 | 1200V | 100A | 8.6mΩ | SOT 227B | No | -55°C to 175°C |
SD11703 – 900V 寬溫金屬封裝碳化硅MOS管 N 溝道
主要特征：
ID = 50A
RDS(ON) = 10mΩ
隔離背面
TO-258 密封封裝
MIL-PRF-19500 篩查可用
好處
無熱失控的并聯裝置
更高的系統效率
更小的散熱器
理想的外部環境應用
機器人與伺服控制
應用
航空航天
高效率的轉換器和馬達驅動
電力供應
